铠侠近日公布了其超高性能固态硬盘的最新研发规划。
根据该路线图，公司计划于2028年推出基于PCIe7.0接口的下一代旗舰级SSD，目标随机读写性能达到1亿次IOPS。这一性能目标的核心支撑，是铠侠自主研发的第三代XL-Flash闪存技术。技术参数显示，第三代XL-Flash相较上一代在读取性能方面提升三倍，写入性能提升一点五倍；能效表现亦显著优化，读取能效提升四成，写入能效提升八成。作为当前技术过渡方案，已量产的GP1系列SSD采用PCIe6.0接口及第二代XL-Flash技术，实测随机IOPS达一千零三十万。值得注意的是，此前公布的百亿级IOPS目标原计划于2027年达成，而此次更新将时间节点调整至2028年。关于第三代XL-Flash的具体堆叠层数与封装架构细节，铠侠暂未对外披露。
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