导读 SK海力士周一宣布已完成其首款单片16 Gb芯片的开发。该芯片将使用其第三代10 nm级工艺技术制造。新的存储设备将使该公司及其合作伙伴能够
SK海力士周一宣布已完成其首款单片16 Gb芯片的开发。该芯片将使用其第三代10 nm级工艺技术制造。新的存储设备将使该公司及其合作伙伴能够制造出更高能效和更高容量的DIMM，例如面向消费者的32 GB无缓冲模块或面向企业消费的高容量缓冲模块。
SK Hynix的16 Gb芯片采用该公司的第三代10 nm级制造技术(也称为“ 1Z” nm)制造，额定DDR4-3200数据传输速率。该公司表示，与使用该公司第二代10纳米级(又称1Ynm)工艺生产的基于8 Gb DRAM的相同容量模块相比，这些芯片的功耗降低了40%。
SK Hynix的“ 1Z” nm工艺技术使用了一种新型物质，与上一代工艺技术相比，它可以使电容最大化并提高DRAM器件的稳定性。使用新化学品是否会转化为其他好处，例如时钟范围或延迟，还有待观察。而且，新技术使每片晶圆的生产率提高了27%，这将使新的存储芯片的生产成本降低。制造商强调，其“ 1Z”纳米工艺未使用极端紫外光刻(EUVL)，而仍是完全DUV工艺。
除了16 Gb DDR4芯片外，SK海力士还推出了32 GB的非缓冲DIMM和SO-DIMM模块，台式计算机可以使用它们。目前尚不清楚这些模块何时可用，但合乎逻辑的是期望它们在2020年16 Gb DRAM器件投入量产后出现。
该公司计划使用其1Znm处理技术制造各种DRAM类型，包括商用DDR4存储器，LPDDR5和HBM3。